Интегральный трехосевой микроакселерометр туннельного типа

Аннотация

Денисенко М.А., Исаева А.С., Рахматулин А.Ш., Попов В.Д.

Дата поступления статьи: 18.05.2020

В статье приводится конструкция и обсуждаются технологические основы изготовления трехосевого интегрального микромеханического акселерометра туннельного типа. Рассмотрена технология управляемой самоорганизации механически напряженных полупроводниковых слоев GaAs/InAs. Описан принцип работы акселерометра на основе туннельного эффекта. Предложенная конструкция была промоделирована и оптимизирована с использованием САПР ANSYS. Полученные результаты моделирования могут быть использованы для разработки высокотехнологичных прецизионных трехосевых МЭМС-сенсоров линейных ускорений.

Ключевые слова: МЭМС, микроэлектромеханическая система, акселерометр, моделирование, дизайн, датчик, сенсор, математическая модель

01.04.10 - Физика полупроводников

01.04.15 - Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика

.