Оценка влияния дислокационных петель и дислокаций несоответствия на распределение Ge в пленке SiGe/Si
Аннотация
Дата поступления статьи: 28.11.2016Выполнен расчет равновесного распределения Ge и плотности упругой энергии в полупроводниковой пленке SiGe/Si. Построена трехмерная модель плоской пленки с пирамидальными островками и дислокациями. Расчет упругих деформаций выполнен с использованием метода конечных элементов. В рассматриваемой модели учитывается неоднородное распределение Si и Ge из-за проникающих дислокаций, напряжений несоответствия и дислокационных петель. Обнаружено, что при учете неоднородности распределения компонент сплава переход к образованию эпитаксиальных островков на поверхности пленки происходит при меньших значениях их критического размера, что особенно заметно при малых концентрациях Ge в сплаве.
Ключевые слова: германий, тонкая пленка, гетероэпитаксия, SiGe, дислокации несоответствия, проникающая дислокация, плотность упругой энергии, дислокационная петля