Влияние ионно-аргонной бомбардировки на спектральные и вольт-амперные характеристики кристаллов CdS вблизи края фундаментального поглощения

Аннотация

Батырев А. С., Бисенгалиев Р. А., Лиджиев Б.С., Сумьянова Е. В.

Дата поступления статьи: 17.05.2019

Приведены результаты исследований воздействия ионно-аргонной бомбардировки в вакууме на спектральное распределение фотопроводимости кристаллов CdS в области края фундаментального поглощения и на их вольт-амперные характеристики. Показано, что малодозовая ионно-аргонная бомбардировка приводит к росту фоточувствительности, а также к изменению спектрального распределения фототока за краем поглощения по-лупроводника. Наблюдаемые спектральные изменения связываются с понижением по-верхностной концентрации рекомбинационных центров, а также с ростом числа приповерхностных донорных собственно-дефектных центров, вызы-ваемые воздействием ионов аргона на поверхность кристаллов CdS. Выдерж-ка исследуемого кристалла CdS на воздухе, после воздействия на него иона-ми аргона, приводит обратному возрастанию числа рекомбинационных цен-тров на поверхности образца за счет взаимодействия поверхности полупро-водника с кислородом, содержащегося в воздухе.

Ключевые слова: ионно-аргонная бомбардировка; спектры фотопроводимости; кристаллы CdS; поверхностная рекомбинация; вольт-амперная характеристика

01.04.07 - Физика конденсированного состояния

`