ivdon3@bk.ru
Обсуждаются возможности малоизученного метода получения наноразмерных материалов электронной техники с заданной субструктурой – метода зонной сублимационной эпитаксии (ЗСЭ). В работе он комбинируется с методом градиентной жидкофазной эпитаксии (ГЖЭ). Спецификой является массоперенос в двухфазной среде (твердая подложка и газовая фаза инертного состава, выступающая в качестве транспортной среды) с предварительным нанесенением матричного слоя, формируемого из расплава. Особенностью процесса сублимации в исследовании являлась кристаллизация легкоплавкой эвтектики железо-кремний Предложена математическая модель процесса и проведено сопоставление с результатами эксперимента. Получены островковые структуры состава кремний (более 90 %), железо (до 8 %) и хром (около 1,5 %). Исследованы их параметры и распределение по размерам. Были использованы сканирующий зондовый микроскоп Solver-HV и растровый электронный микроскоп Quanta-200. В исследовании показано, что использование переходных процессов сублимационного переноса дает возможность воспроизводимо формировать нанослои легированного кремния и преобразовывать их в регулярные мезоструктуры.
Ключевые слова: метод микроразмерных ростовых ячеек, зонная сублимационная эпитаксия, градиентная жидкофазная эпитаксия, островковые наноструктуры
1.2.2 - Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ , 1.3.8 - Физика конденсированного состояния
Обсуждаются результаты теоретического и экспериментального исследования процессов синтеза тонкопленочных структур GaInAsBi, формируемых на подложках InAs в поле температурного градиента. Изучены особенности межфазного взаимодействия в системе In-As-Sb в присутствии изовалентных растворителей (In, Bi). Определены значения параметров взаимодействия и коэффициентов распределения компонентов системы. Представлены оптимальные технологические режимы получения гетероструктур на основе InAs. Экспериментально изучены свойства поверхности эпитаксиальных слоев. Установлено, что главными управляющими параметрами являются температура термомиграции и ее градиент. Показано, что синтезированные полупроводниковые материалы могут найти эффективное применение в электронных устройствах нового поколения – электрооптических модуляторах и сверхчувствительных сенсорных элементах.
Ключевые слова: эпитаксиальная структура, кристаллизация, перекристаллизация, расплав, коэффициент сегрегации, металлоорганическое соединение, вольтовая чувствительность, ближний ИК-диапазон, твердый раствор, оптическая характеристика
В работе исследованы процессы жидкофазной эпитаксии нового материала инфракрасной оптоэлектроники – арсенида индия, легированного висмутом при использовании ступенчатого теплового поля. Проведен анализ равновесия фаз в процессе роста твердого раствора. Показана возможность формирования мезоструктуры (модуляции состава по координате роста). Рассмотрены проблемы дефектообразования в композитных слоях, выращенных из расплава. Обсуждаются пути уменьшения плотности дислокаций в градиентных слоях. Разработан относительно несложный способ управления тепловым полем температуры в зоне кристаллизации и новая технологическая процедура последовательной кристаллизации твердых растворов с мезоструктурой.
Ключевые слова: твердые растворы, жидкофазная эпитаксия, арсенид индия, мезоструктура, ступенчатое тепловое поле, генерация дислокаций
Обсуждаются экспериментальные исследования структуры эпитаксиальных слоев элементной базы оптоэлектроники ближнего ИК диапазона. Рассмотрены возможности формирования в поле температурного градиента эпитаксиальных пленок узкозонного материала – антимонида-висмутида индия с управляемым по геометрии слоя составом. Описана технология получения твердых растворов на основе соединений А3В5 методом возвратно-поступательного движения жидкого включения в поле градиента температуры. Определены условия обогащения эпитаксиальных слоев компонентами с низкой растворимостью. Показано, что факторами управления являются стартовый состав расплава, его топология, дистанция термомиграции, градиент температуры и количество циклов перемещения жидкой зоны. В частности, там, где это необходимо, можно получить однородный по координате роста слой при исходном варизонном распределении компонентов. В ходе многостадийного процесса оказываются возможными программируемые скачки концентраций и, в перспективе, получение мезоструктуры слоя (сверхрешетки с периодом 300 нм и менее). Приведены результаты рентгеноструктурных исследований узкозонных твердых растворов, показаны пути формирования пленок с заданным распределением компонентов. Определено предельное содержание висмута в структуре с допустимым уровнем дефектов. Для системы InSbBi-InSb уточнено значение постоянной решетки.
Ключевые слова: твердые растворы, перекристаллизация, градиентная жидкофазная эпитаксия, термомиграция, антимонид-висмутида индия, толщина расплава, градиент температуры, компоненты, координата роста, эпитаксиальные слои
В статье осуществлено моделирование фазовых равновесий в многокомпонентных системах соединений А3В5 и рассчитаны составы жидкой фазы, равновесной с заданным твердым раствором. Применена модель избыточных термодинамических функций, в которой учитываются процессы образования ассоциатов в расплаве вблизи температур солидуса. Разработанный алгоритм позволяет решать и прямую задачу (в которой входными параметры являются температура роста слоев и состав твердой фазы, отвечающий ожидаемым приборным характеристикам) и обратную задачу (по заданной жидкой фазе ищется температура роста и состав твердого раствора). Определены предельные концентрации легирующих компонентов – мышьяка и висмута. Обсуждаются структурные и электрофизические характеристики многокомпонентных полупроводниковых гетеросистем А3В5, твердые растворы которых кристаллизуются из жидкой фазы в градиентном тепловом поле. Впервые качественно описан механизм внедрения примесей в решетку эпитаксиальных слоев многокомпонентных твердых растворов. С увеличением толщины кристаллизуемой пленки термодинамически равновесное замещение атомами висмута сурьмы завершается и имеет место внедрение атомов Bi в междоузлия. Взаимодействие соседних атомов с валентными электронными оболочками Bi становится более симметричным, что обусловливает рост концентрации. При этом возрастает также концентрация дефектов пленки вблизи ее тыльной поверхности. Полученные значения электрофизических параметров позволяют сделать вывод о приборной пригодности исследуемых материалов.
Ключевые слова: твердые растворы, мезоструктура, антимонид, легирование, жидкая фаза, фазовые превращения, бинарные соединения, ассоциаты, постоянная решетки, многокомпонентные системы
В работе содержится анализ результатов экспериментов по получению излучательных структур на основе антимонида галлия, формируемых методом термомиграции расплава в полупроводниковой матрице.
Ключевые слова: термомиграция, твердые растворы, градиентная эпитаксия, диод с мелкой мезой, антимонид галлия, фундаментальный переход, спектры фотолюминесценции
Рассмотрены методы и результаты проектирования инструментальных усилителей на двух МОУ которые позволяют существенно уменьшить как напряжение дрейфа нуля схемы, так и ее коэффициент передачи синфазного напряжения. В практическом отношении данные методы позволяют решить важную задачу построения прецизионных аналоговых интерфейсов для мостовых резистивных датчиков, функционирующих в широком температурном диапазоне. Также появляется возможность использовать многоразрядные АЦП с существенно более низким опорным напряжением.
Ключевые слова: смешанные системы на кристалле, инструментальные усилители, синфазный сигнал, мультидифференциальный ОУ, напряжение дрейфа нуля, температурный диапазон, многоразрядные АЦП.
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
В работе рассматривается особенность применения цепей собственной и взаимной компенсации в схемотехнике дифференциальных каскадов на КМОП-транзисторах. Показано, что их композиция позволяет существенно увеличить дифференциальный коэффициент усиления в симметричных каскадах с динамической нагрузкой, заметно уменьшить коэффициент передачи синфазного сигнала и расширить диапазон рабочих частот. В качестве примера приведена эволюция базовой принципиальной схемы симметричного каскада и результаты её моделирования в Cadence Virtuoso.
Ключевые слова: микросхемотехника, структурный синтез, сложно-функциональные блоки, дифференциальный каскад, КМОП-транзистор, система на кристалле
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
В работе предложена функциональная схема мультидифференциального операционного усилителя, которая в отличие от традиционных операционных усилителей, имеет несколько инвертирующих и неинвертирующих входов, обеспечивающих относительно большое входное граничное напряжение. Применение базовых обратных связей по синфазному сигналу позволило повысить коэффициент ослабления синфазного напряжения по обоим каналам. Использование дополнительных пассивных элементов в эмиттерных цепях мульдифференциального каскада позволило повысить граничное напряжение операционного усилителя, скорость нарастания его выходного напряжения, обеспечить высокую точность отношений коэффициентов передачи каналов, а также повысить стабильность соответствующих параметров измерительных средств на основе мультидифференциального операционного усилителя.
Ключевые слова: система на кристалле, входной каскад, радиация, усилитель, аналого-цифровой преобразователь, биполярный транзистор, полевой транзистор
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Обобщение типологических особенностей инфраструктуры воинских формирований Псковской области в структуре Федерального округа, причины современного состояния, предложения по оптимизации архитектурно-планировочной среды.
Ключевые слова: расселение, архитектурное структурирование, инфраструктура, территориальное планирование, границы территориальных формирований, районные коэффициенты, оценка территории.
05.23.22 - Градостроительство, планировка сельских населенных пунктов